IPB60R230P6ATMA1

Name: IPB60R230P6ATMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 16.8A TO263-3

停产/老旧TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	230mOhm @ 6.4A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1450 pF @ 100 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	CoolMOS™ P6
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 530µA

漏源电压	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16.8A (Tc)
最大功耗	126W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)