IPB60R080P7ATMA1

Name: IPB60R080P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 11.8A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2180 pF @ 400 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	CoolMOS™ P7
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 590µA

漏源电压	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	37A (Tc)
最大功耗	129W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)