IPB320P10LMATMA1

Name: IPB320P10LMATMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

TRENCH >=100V PG-TO263-3

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	32mOhm @ 54A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	219 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11000 pF @ 50 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 5.55mA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.5A (Ta), 63A (Tc)
最大功耗	3.8W (Ta), 300W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)