IPB240N03S4LR8ATMA1

Infineon Technologies

IPB240N03S4LR8ATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 240A TO263-7

在产TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.76mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26000 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 230µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C240A (Tc)
最大功耗300W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
供应商器件封装PG-TO263-7-3

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)