IPB050N10NF2SATMA1

Infineon Technologies

IPB050N10NF2SATMA1

Datasheet

模拟与电源

TRENCH >=100V

在产模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.05mOhm @ 60A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3600 pF @ 50 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列StrongIRFET™ 2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 85µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C103A (Tc)
最大功耗150W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装PG-TO263-3

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)