IPB040N08NF2SATMA1

Infineon Technologies

IPB040N08NF2SATMA1

Datasheet

模拟与电源

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3

在产Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 80A, 10V
基础料号IPB040N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3800 pF @ 40 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列StrongIRFET™ 2
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 85µA

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C107A (Tc)
最大功耗150W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)