IPB034N06N3G

Infineon Technologies

IPB034N06N3G

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000 pF @ 30 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™ 3
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 93µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
最大功耗167W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
供应商器件封装PG-TO263-7-3

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)