IPA80R310CEXKSA1

Infineon Technologies

IPA80R310CEXKSA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 6.8A TO220

已停产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs310mOhm @ 11A, 10V
基础料号IPA80R
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2320 pF @ 100 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusDiscontinued at
系列CoolMOS™ CE
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 1mA

电气

漏源电压800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.8A (Tc)
最大功耗35W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
供应商器件封装PG-TO220-FP

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)