IPA80R1K0CEXKSA2

Name: IPA80R1K0CEXKSA2
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO220-FP

在产TO-220-3 Full Pack模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	950mOhm @ 3.6A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	785 pF @ 100 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
系列	CoolMOS™ CE
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.9V @ 250µA

漏源电压	800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.7A (Tc)
最大功耗	32W (Tc)

工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)