IMZA65R107M1HXKSA1

Name: IMZA65R107M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

在产TO-247-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	142mOhm @ 8.9A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	496 pF @ 400 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Through Hole
包装	Tube
产品状态	在产
系列	448
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+23V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 3mA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
最大功耗	75W (Tc)

Package / Case	TO-247-3
供应商器件封装	PG-TO247-3-41

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)