通用
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 744 pF @ 400 V |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 系列 | CoolSiC™ |
| 技术 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +23V, -5V |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| 最大功耗 | 96W (Tc) |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-4 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-4-3 |
环境
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
|---|