IMW120R014M1HXKSA1

Name: IMW120R014M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

SIC DISCRETE

在产TO-247-3模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.4mOhm @ 54.3A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4580 nF @ 25 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Through Hole
Product Status	Active
系列	CoolSiC™
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.2V @ 23.4mA

漏源电压	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	127A (Tc)
最大功耗	455W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)