IMT65R048M1HXUMA1

Infineon Technologies

IMT65R048M1HXUMA1

模拟与电源

SILICON CARBIDE MOSFET

在产8-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolSiC™
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
供应商器件封装PG-HSOF-8-1