IMT65R022M1HXUMA1

Infineon Technologies

IMT65R022M1HXUMA1

Datasheet

模拟与电源

SILICON CARBIDE MOSFET

在产8-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列448
技术SiCFET (Silicon Carbide)

电气

漏源电压650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V

机械

Package / Case8-PowerSFN
供应商器件封装PG-HSOF-8-2