IMBG65R030M1HXTMA1

Name: IMBG65R030M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263

在产模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 29.5A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1643 pF @ 400 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	CoolSiC™
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+23V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 8.8mA

漏源电压	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	63A (Tc)
最大功耗	234W (Tc)

封装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
供应商器件封装	PG-TO263-7-12

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)