IMBG120R030M1HXTMA1

Name: IMBG120R030M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

在产TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 25A, 18V
基础料号	IMBG120
FET Feature	Standard
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2290 pF @ 800 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	CoolSiC™
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+18V, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 11.5mA

漏源电压	1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	56A (Tc)
最大功耗	300W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)