IMBF170R1K0M1XTMA1

Name: IMBF170R1K0M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

在产TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1000mOhm @ 1A, 15V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	275 pF @ 1000 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	CoolSiC™
技术	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 1.1mA

漏源电压	1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	12V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.2A (Tc)
最大功耗	68W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)