通用
| Resistance - RDS(On) | 70 mOhms |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 19.5V (VGS) |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 系列 | CoolSiC™ |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 1200 V |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 1200 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 3.3 µA @ 1200 V |
| Current Drain (Id) - Max | 35 A |
| Power - Max | 238 W |
机械
| 封装 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|