通用
| 基础料号 | IGT60R190 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 157 pF @ 400 V |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 系列 | CoolGaN™ |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 600 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Tc) |
| 最大功耗 | 55.5W (Tc) |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| 供应商器件封装 | PG-HSOF-8-3 |
环境
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|