IGT40R070D1E8220ATMA1

Infineon Technologies

IGT40R070D1E8220ATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 400V 31A HSOF-8-3

停产/老旧8-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号IGT40R070
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds382 pF @ 320 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列CoolGaN™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 2.6mA

电气

漏源电压400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
供应商器件封装PG-HSOF-8-3

环境

工作温度0°C~150°C(TJ)