IGT40R070D1ATMA1

Infineon Technologies

IGT40R070D1ATMA1

Datasheet

模拟与电源

GAN HV

已停产8-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds382 pF @ 320 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusDiscontinued at
系列CoolGaN™
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)-10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 2.6mA

电气

漏源电压400 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / Case8-PowerSFN
供应商器件封装PG-HSOF-8-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)