IGO60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

IGO60R070D1AUMA1

Datasheet

模拟与电源

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

停产/老旧20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号IGO60R070
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列CoolGaN™
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)-10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 2.6mA

电气

漏源电压600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
供应商器件封装PG-DSO-20-85

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)