通用
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 110 pF @ 400 V |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | CoolGaN™ |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 690µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 600 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.4A (Tc) |
| 最大功耗 | 52W (Tc) |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TSON-8-7 |
环境
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|