IGLD60R070D1AUMA3

Infineon Technologies

IGLD60R070D1AUMA3

Datasheet

模拟与电源

GANFET N-CH

在产8-LDFN Exposed Pad模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380 pF @ 400 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列CoolGaN™
技术GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)-10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 2.6mA

电气

漏源电压600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Tc)
最大功耗114W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-LDFN Exposed Pad
供应商器件封装PG-LSON-8-1

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)