IDK08G120C5XTMA1

Infineon Technologies

IDK08G120C5XTMA1

Datasheet

模拟与电源

DIODE SIC 1.2KV 22.8A TO263-1

在产TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号IDK08G120
Capacitance @ Vr, F365pF @ 1V, 1MHz
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列448
技术SiC (Silicon Carbide) Schottky

电气

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.95 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)22.8A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 1200 V
速度No Recovery Time > 500mA (Io)

机械

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263-2-1

环境

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C