IAUZ30N08S5N186ATMA1

Infineon Technologies

IAUZ30N08S5N186ATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET_(75V 120V( PG-TSDSON-8

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs18.6mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds759 pF @ 40 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 13µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tj)
最大功耗41W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TSDSON-8-32

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)