IAUZ18N10S5L420ATMA1

Name: IAUZ18N10S5L420ATMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	42mOhm @ 9A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	470 pF @ 50 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™-5
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 8µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
最大功耗	30W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)