IAUT300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

IAUT300N08S5N012ATMA1

模拟与电源

MOSFET_(75V 120V(

已停产8-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs231 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16250 pF @ 40 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusDiscontinued at
系列OptiMOS™-5
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 275µA

电气

漏源电压80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300A (Tc)
最大功耗375W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
供应商器件封装PG-HSOF-8-1

环境

工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)