IAUS300N10S5N014ATMA1

Infineon Technologies

IAUS300N10S5N014ATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8

在产8-PowerSFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs216 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds16011 pF @ 50 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 275µA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C360A (Tj)
最大功耗375W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
供应商器件封装PG-HSOG-8-1

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)