IAUC60N10S5L110ATMA1

Name: IAUC60N10S5L110ATMA1
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8

在产8-PowerTDFN模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 30A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1665 pF @ 50 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	OptiMOS™
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 30µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
最大功耗	88W (Tc)

工作温度	-55°C~175°C(TJ)