IAUC60N06S5N074ATMA1

Infineon Technologies

IAUC60N06S5N074ATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.4mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1461 pF @ 30 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 19µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tj)
最大功耗52W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8-33

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)