IAUC60N06S5L073ATMA1

Infineon Technologies

IAUC60N06S5L073ATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.3mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1655 pF @ 30 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™-5
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 19µA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tj)
最大功耗52W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101