IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon Technologies

IAUC120N06S5N017ATMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 60A, 10V
基础料号IAUC120
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6952 pF @ 30 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.4V @ 94µA

电气

漏源电压60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tj)
最大功耗167W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8-43

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)