通用
| 存储器类型 | Non-Volatile |
|---|---|
| 技术 | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| 访问时间 | 110 ns |
| 基础料号 | FM21L16 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 系列 | F-RAM™ |
| 写周期时间 | 110ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 2Mbit |
|---|---|
| 存储格式 | FRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 供电电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 128K x 16 |
机械
| 封装 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
环境
| 工作温度 | -40°C~85°C(TA) |
|---|