FF8MR12W2M1B11BOMA1

Infineon Technologies

FF8MR12W2M1B11BOMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2

停产/老旧Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
基础料号FF8MR12
配置2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs372nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11000pF @ 800V
制造商Infineon Technologies
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
系列CoolSiC™+
技术Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.55V @ 60mA

电气

漏源电压1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C150A (Tj)

机械

封装Tray
Package / CaseModule
供应商器件封装AG-EASY2BM-2

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)