FF2MR12KM1HPHPSA1

Infineon Technologies

FF2MR12KM1HPHPSA1

模拟与电源

SIC 2N-CH 1200V AG-62MMHB

在产Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.13mOhm @ 500A, 15V
基础料号FF2MR12
配置2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1340nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds39700pF @ 800V
制造商Infineon Technologies
安装类型Chassis Mount
Product StatusActive
系列CoolSiC™
技术Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.15V @ 224mA

电气

漏源电压1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C500A (Tc)

机械

封装Tray
Package / CaseModule
供应商器件封装AG-62MMHB

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)