F423MR12W1M1PB11BPSA1

Infineon Technologies

F423MR12W1M1PB11BPSA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 4N-CH 1200V 50A AG-EASY1B

停产/老旧Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 50A, 15V
基础料号F423MR12
配置4 N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs124nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3.68nF @ 800V
制造商Infineon Technologies
安装类型Chassis Mount
包装Tray
产品状态停产/老旧
系列EasyPACK™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5.5V @ 20mA

电气

漏源电压1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A

机械

Package / CaseModule
供应商器件封装AG-EASY1B-2

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)