F411MR12W2M1B76BOMA1

Infineon Technologies

F411MR12W2M1B76BOMA1

模拟与电源

SIC 4N-CH 1200V AG-EASY1B-2

停产/老旧Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.3mOhm @ 100A, 15V
基础料号F411MR
配置4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs248nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7360pF @ 800V
制造商Infineon Technologies
安装类型Chassis Mount
Product StatusObsolete
系列EasyPACK™ CoolSiC™
技术Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id5.55V @ 40mA

电气

漏源电压1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tj)

机械

封装Tray
Package / CaseModule
供应商器件封装AG-EASY1B-2

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)