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DF80R12W2H3FB11BPSA1

Infineon Technologies

DF80R12W2H3FB11BPSA1

Datasheet

模拟与电源

IGBT MOD 1200V 20A 20MW

在产Module模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

基础料号DF80R12
配置Half Bridge
IGBT TypeTrench Field Stop
InputStandard
Input Capacitance (Cies) @ Vce2.35 nF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Chassis Mount
NTC ThermistorYes
Product StatusActive
系列EconoPACK™ 2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 20A

电气

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)20 A
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Power - Max20 mW

机械

封装Tray
Package / CaseModule
供应商器件封装Module

环境

工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)

相似元器件

根据 DF80R12W2H3FB11BPSA1 系列、制造商或产品分类匹配的相似元器件。

需确认

该料号暂未匹配到相关元器件。