通用
| 存储器类型 | Volatile |
|---|---|
| 技术 | SRAM - Dual Port, MoBL |
| 访问时间 | 55 ns |
| 基础料号 | CYDM |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 系列 | MoBL® |
| 写周期时间 | 55ns |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 存储容量 | 128Kbit |
|---|---|
| 存储格式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 供电电压 | 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V |
| Memory Organization | 8K x 16 |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 100-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 100-VFBGA (6x6) |
环境
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|