BUZ73A

Infineon Technologies

BUZ73A

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds530 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列SIPMOS®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Tc)
最大功耗40W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)