BUZ32 E3045A

Name: BUZ32 E3045A
Brand: Infineon Technologies

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 6A, 10V
基础料号	BUZ32
FET Type	N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	530 pF @ 25 V
制造商	Infineon Technologies
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	SIPMOS®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

漏源电压	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.5A (Tc)
最大功耗	75W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)