BUZ30AH3045A

Infineon Technologies

BUZ30AH3045A

模拟与电源

BUZ30 - 12V-300V N-CHANNEL POWER

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 13.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列SIPMOS®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
最大功耗125W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263-3-2

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)