BUZ103SL-E3045A

Infineon Technologies

BUZ103SL-E3045A

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds960 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列SIPMOS®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 50µA

电气

漏源电压55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
最大功耗75W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装PG-TO263-3-2

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)