BUZ101SL

Infineon Technologies

BUZ101SL

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

在产TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 14A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusActive
系列SIPMOS®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±14V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 40µA

电气

漏源电压55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
最大功耗55W (Tc)

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3-1

环境

工作温度-55°C~175°C(TJ)