BTS282Z E3230

Infineon Technologies

BTS282Z E3230

模拟与电源

MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7

停产/老旧TO-220-7模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 36A, 10V
FET FeatureTemperature Sensing Diode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs232 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4800 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列TEMPFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 240µA

电气

漏源电压49 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
最大功耗300W (Tc)

机械

封装Tube
Package / CaseTO-220-7
供应商器件封装P-TO220-7-230

环境

工作温度-40°C ~ 175°C (TJ)