BTS132E3045ANTMA1

Infineon Technologies

BTS132E3045ANTMA1

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

停产/老旧TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TEMPFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
最大功耗75W

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装PG-TO220-3-5

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)