BTS121AE3045ANTMA1

Infineon Technologies

BTS121AE3045ANTMA1

模拟与电源

MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB

停产/老旧TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 9.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TEMPFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C22A (Tc)
最大功耗95W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装PG-TO220-3-5

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)