BTS115AE6327

Infineon Technologies

BTS115AE6327

模拟与电源

N-CHANNEL POWER MOSFET

停产/老旧TO-220-3模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs120mOhm @ 7.8A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds735 pF @ 25 V
制造商Infineon Technologies
安装类型Through Hole
Product StatusObsolete
系列TEMPFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

电气

漏源电压50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.5A (Tc)
最大功耗50W

机械

封装Bulk
Package / CaseTO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3-1

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)