BSZ215CHXTMA1

Infineon Technologies

BSZ215CHXTMA1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON

在产8-PowerTDFN模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 5.1A, 4.5V
配置N and P-Channel Complementary
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds419pF @ 10V
制造商Infineon Technologies
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列OptiMOS™
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 110µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A, 3.2A
Power - Max2.5W

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TSDSON-8

环境

GradeAutomotive
工作温度-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101